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2015年基本上在实际电路组成的理想组件,在工作的过程中会遇到许多问题编辑认为回族变压器。斯洛文尼亚:电压:230 v(单相380 v(三相);频率:50赫兹 瑞典:电压:230 v(单相380 v(三相);频率:50赫兹 捷克共和国:电压:230 v(单相380 v(三相);频率:50赫兹 克罗地亚:由电压:230 v(单相380 v(三相);频率:50赫兹 挪威:电压:230 v(单相380 v(三相);频率:50赫兹 瑞士:电压:230 v(单相380 v(三相);频率:50赫兹 乌克兰:电压:230 v(单相380 v(三相);频率:50赫兹 俄罗斯:电压:230 v(单相380 v(三相);频率:50赫兹。在普通的全桥供电,输出波形稳定,不远但不时发生间歇振荡,并发出“吱嘎吱嘎”的声音,有时甚至烧毁开关管。 分析电路结构后,发现了可能导致不稳定的因素,因此输出电压采样比的变化,半电压24 v输出设置,使用90 v输入直流电压,在确保安全的情况下功率管的调试。电路正常工作后,然后慢慢增加输入直流电压,经过多次试验,发现当Ui是180 ~ 250 v可能引起振荡,最后判断是每个绕组之间的分布电容驱动变压器陷入困境。 两个开关管电容C2的低端绕组分布NA M与注之间的分布电容的顶部P .当绥化市变压器绕组是NA输出脉冲注负脉冲输出,TA饱和导通管的截止日期,和TA的来源管道是M点潜在的迅速崛起,并通过电容C2 NB绕组上P潜力,增加升值和两个绕组的分布电容C1,C2,C3,点P的高频阻抗和M点潜在的上升速度。如果该值大于NB绕组提升自己的负脉冲幅度,结果将是结核病管瞬态传导,从而出现间歇振荡。其他管传导也有类似的情况发生。 细胞干扰通常有3个解决方案编辑认为回族变压器。是减少干扰来源之一的力量,另一种是增强了驾驶MOS管的抗干扰能力,三是阻塞干扰的方法。在这种情况下,干扰来源是脉冲变压器,它不能低。驱动压力,可以大大增强MOS管的抗干扰能力,该方法用于许多电源使用。下面的例子使用了第三种方法,即驱动变压器的绕组,绕组之间的屏蔽层,其结构,总共五绕组和五个屏蔽层。 整个变压器包括屏蔽层绕组一步一步从左到右,N1从控制电路;在两驱动绕组由于潜在的变化,同时与N2,实际上是接收功率;N3和陶瓷交换将管绕组NA打包,和不同的名字和NA;它们绕组ND NA隔离。所以每个绕组及其盾牌和潜力,不是性电流的地方。管在TA传导时,绕组NA潜在跳,盾牌N3和陶瓷交换潜力也跳,因为N2和N3)之间的分布电容,跳将在两个盾牌一个电流,但地铁司机没有影响,只是一些主要的电力损耗。采用实际电路和电磁屏蔽驱动变压器,后得到全部解决问题。 最需要我们关注的是编辑认为是绥化市变压器。的角色是每个隔绝绕组屏蔽,为了避免坏分布电容的影响。所以盾牌收到了什么地方,这是需要仔细考虑,否则可能适得其反。如果在图3中N3和陶瓷与NA交换,但N2的接收功率,上部和下部之间的分布电容分别绕组NA和N3屏蔽层,是权力之间的分布电容(C6、C7实际上是包含了C4,C1后等效电容)。当NA输出脉冲上升沿快速传导,TA M点可能跳,所以当前C6和C7介于两者的特点。M是一个低阻抗点,当前iC7对其潜在影响不大,但N点是高阻抗,iC6电流将立即减少它的潜力,可以即时的TA管关闭。所以你不能使用这个连接。盾牌N3和陶瓷交换,如转变为NA的名称相同,效果不是很好。 因为那是绥化市分布电容引起的管误导,使编辑点,我们可以使用发送DE变压器。负压驱动和屏蔽隔离两种方法来解决。这将为回族认为DE变压器编辑器。这是绥化市变压器增加屏蔽层可以使驱动变压器设计是复杂的,但不修改电路,仍然是一个实用和有效的方法。
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